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國產DRAM內存芯片和三星的技術差距是幾年?
作者:admin 發(fā)布時間:2024-02-23 09:13:18 點擊量:
國產DRAM內存芯片和三星的技術差距大約是5年。
具體來說,三星和SK海力士計劃在年底前投產第五代10nm級(1b或者說12nm)內存芯片,而國產DRAM代表企業(yè)合肥長鑫今年的打算是第二代10nm(1y或者說16/17nm)。
一般而言,DRAM每一代的演進時間是2年到2年半。按照正常節(jié)奏,國產內存芯片有機會進一步縮短與三星的技術差距。然而,目前一個比較棘手的問題是,三星和SK海力士已經引入了EUV(極紫外光刻)設備用于生產更先進的DRAM芯片,而國產企業(yè)暫時還無法獲取這一設備。
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