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三星落后臺積電的三大原因
作者:admin 發(fā)布時間:2024-02-27 09:19:38 點(diǎn)擊量:
三星電子落后于臺積電的三大原因如下:

在半導(dǎo)體微縮化方面,臺積電在全球處于領(lǐng)先地位。臺積電已經(jīng)成功量產(chǎn)了7納米和5納米芯片,并計(jì)劃在未來實(shí)現(xiàn)2納米芯片的量產(chǎn)。相比之下,三星電子的EUV技術(shù)不如臺積電成熟,良率也不及臺積電,導(dǎo)致三星電子在EUV批量生產(chǎn)方面遇到困難。
ASML是全球唯一一家能夠提供尖端光刻設(shè)備EUV光刻機(jī)的廠家。然而,ASML無法按照計(jì)劃為三星提供足夠的EUV設(shè)備。這導(dǎo)致三星電子無法充分利用EUV技術(shù)進(jìn)行半導(dǎo)體微縮化生產(chǎn),進(jìn)一步拉大了與臺積電的差距。
要熟練使用新設(shè)備,需要花費(fèi)相當(dāng)長的時間。臺積電在使用EUV設(shè)備進(jìn)行量產(chǎn)之前做了大量準(zhǔn)備工作,投入了大量晶圓并處理了Bug問題。相比之下,三星電子在使用EUV設(shè)備方面的準(zhǔn)備工作不足,導(dǎo)致其使用EUV設(shè)備的熟練程度不及臺積電。
技術(shù)差距、設(shè)備供給不足以及使用熟練程度不及是導(dǎo)致三星電子落后于臺積電的三大原因。
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